2月5日，长鑫存储宣布，将准备计划制造自己的HBM高带宽内存，技术已经趋近成熟，目前长鑫已下订单购买美日供应商的HBM制造、组装、测试设备，相关设计开发工作也已经完成，等设备到位即可开展进入投产阶段！
HBM产能短缺供不应求，镁光首席执行官表示2024年与英伟达签订HBM3E大单，预计可以带来数十亿美元收入，根据调研数据统计，HBM市场将会成为未来十年的主要方向。
本次长鑫（CXMT）已经宣布将进入HBM内存领域，包括HBM组装和测试的设备已经获得审批，向美国设备企业Applied Materials、Lam Research等设备供应商购买必需设备。
目前，长鑫已经在合肥有一座DRAM内存工厂，正在筹备建设第二座，国际上目前最前沿为HBM3E，SK海力士计划2026年实现HBM4，长鑫生产的HBM版本可能为HBM3，这对促进我国相关产业发展将具有重要意义！
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