麻省理工学院（MIT）的华裔科学家朱家迪领导的团队在原子级晶体管研究方面取得了重大突破。他们采用了气象沉淀逐层堆叠工艺，通过这一方法可以在不使用光刻机的情况下生产出一纳米甚至更小制程的芯片。这项技术的突破性在于将计算机芯片的尺寸缩小到目前的千分之一，同时功耗也只有目前的千分之一。

新型晶体管的厚度只有大约三个原子的厚度，因此可以以更低的成本堆叠，制造出性能更强大的芯片。研究人员还开发了一种新技术，可以在完全制造的硅芯片上高效地“生长”金属二硫化物 (TMD) 材料层，以实现更密集的集成性。

由于芯片制造过程中通常需要高温（约600摄氏度），而硅晶体管和电路在加热到400摄氏度以上时可能会损坏，所以将晶体管材料直接“生长”到硅晶圆上是一个巨大的挑战。

目前，麻省理工学院的研究人员已经开发出一种低温的“生长”工艺，可以避免对芯片造成损坏。这项技术使得二维半导体晶体管可以直接集成在标准的硅电路中。

新技术还能够显著减少生长这些材料所需的时间。以往的方法需要超过一天的时间来制造芯片所需的单层二维材料，而新方法可以在不到一个小时的时间内在整个8英寸晶圆上均匀地“生长”金属二硫化物 (TMD) 材料层。

如果这项新技术正式应用，将极大地降低芯片的成本，进而降低整个硬件市场的价格。这对于半导体行业和计算机科技的发展具有重要意义。